Terasense的相机探测器部分基于 GaAs 异质结高效的载流子迁移率，利用传统光刻蚀的方法制造。成像传感器制做在一个单独的晶圆上。 整个过程确保了等离子体探测器各项参数的稳定性和高的响应度（像素-像素之间的响应度偏离 20%之内） 。每个独立的探测单元在室温下的响应度高达 50KV/W，在 10GHz-1THz 之间的噪声等效功率为 1nW/Hz 1/2 。探测器的探测机制是基于在二维电子系统中入射太赫兹与等离子体振荡的转化过程。