FZ晶片主要用于其中非常高的电阻率或无氧对于良好的器件性能是必要的应用。这样的应用包括分立功率、MOS功率、高效太阳能电池和RF/无线通信芯片。
FZ晶片是从通过浮区工艺制造的铸锭中切片的，在浮区工艺中，多晶硅棒或单晶硅棒通过区域精炼设备，该设备熔化硅，然后将硅重新固化为单晶棒。在区域精炼过程中，包括替代掺杂剂（如硼、磷、砷、锑和金属杂质）在内的所有杂质被推到熔融区域之前，并以低得多的浓度重新结合到单晶锭中。这允许非常低的掺杂水平和非常高的电阻率并消除氧气。
FZ锭可以通过在熔体界面引入气体掺杂剂来有意地掺杂，或者稍后通过中子转移掺杂（NTD）工艺进行掺杂，在该工艺中硅同位素硅30在磷光体31中转化，从而形成n型材料。浮动区铸锭
FZ晶片主要用于其中非常高的电阻率或无氧对于良好的器件性能是必要的应用。这样的应用包括分立功率、MOS功率、高效太阳能电池和RF/无线通信芯片。
