我们应用LGS晶体的电光系数γ11来制作Q开关，选择其较大的纵横比来降低Q开关的半波电压，可应用于更高功率重复频率的全固态激光器的电光调Q，比如:可应用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固态激光器，最高频率可达200KHZ，最高输出可达715w，脉宽为46ns，连续输出可以达到近10w，光损伤阈值是LiNbO3晶体的9-10倍以上，1/2波电压和1/4波电压比同口径BBO开关低，且材料和装配成本低于同口径RTP开关，和DKDP开关比较，不潮解，温度稳定性好，可以应用在恶劣环境，是性能优异的可以满足不同应用领域的电光开关。