实现了以前的加工技术无法实现的无R的四方孔。可实施微密孔径和微密间距
●0.1×0.1mm 的多孔加工
・(例) 3英寸晶片150,000个孔
●高孔深孔径比(1:8 〜 1:10),选择贯通孔的形状
・可选直形和锥形
●实现无崩边
・提高和Si正极键合时的接触性
实现了以前的加工技术无法实现的无R的四方孔。可实施微密孔径和微密间距
●0.1×0.1mm 的多孔加工
・(例) 3英寸晶片150,000个孔
●高孔深孔径比(1:8 〜 1:10),选择贯通孔的形状
・可选直形和锥形
●实现无崩边
・提高和Si正极键合时的接触性
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