2024年1月29日，在美国旧金山举行的西部光电展（Photonics West 2024）会议上，度亘核芯（DoGain）发布了915nm高功率高效率半导体激光方面的最新进展，首次实现了单管器件高达110W的功率输出！

随着工业加工市场的蓬勃发展，半导体激光芯片的功率、效率、亮度面临着新的挑战，激光芯片任何方面性能的提升，对激光应用都会起到巨大的推动作用。度亘核芯深耕激光芯片领域多年，研发量产了众多的芯片系列，产品在业内一直处于领先地位。度亘核芯通过对基础物理、材料科学、芯片设计以及器件制备工艺的深入研究，优化了芯片的内量子效率、腔内光学损耗以及腔面的高负载能力，成功实现了输出功率和电光转换效率的显著提高。

新近研发的915nm 500um条宽单管双结激光芯片，在具有极高的电光转换效率的前提下，在室温和55A连续工作条件下，突破性的实现了110W的高输出功率，为业界领先水平！

图1. 9xxnm双结半导体激光芯片特性曲线（CW）

双结激光芯片的技术突破是建立在已批量生产的单结9xx nm 芯片技术基础之上，现已在业界广受欢迎的915nm 320um条宽单管激光芯片，在室温连续工作条件下可靠输出45W功率，电光转换效率超过65%；500um条宽单结芯片在连续工作条件下输出功率达到74W！

图2. 9xxnm单结半导体激光芯片特性曲线（CW）

此系列高功率、高效率新产品的研发成功充分展示了度亘坚持技术领先、不懈进取的企业精神，度亘也将持续聚焦核心光电领域，提升产品的性能和可靠性，持续不断的为客户提供更优质的产品。