基于金刚石与氮化镓结合异质集成，可以降低氮化镓（GaN）大功率器件的自加热效应，解决在高频、大功率情况下GaN基HEMT的散热问题，化合积电为国内率先开展金刚石和氮化镓异质集成的厂家，目前三种方案都已成功，GaN on diamond 、Diamond on GaN，以及金刚石和氮化镓键合所必需的晶圆级金刚石，通过自主研发和创新，实现了我国在关键材料的核心技术上的自主可控。

此外，对于激光器领域砷化镓芯片、硅基芯片等，化合积电提供高品质的晶圆级金刚石，用于芯片键合，可以解决激光芯片散热率低的问题，达到高效散热的效果。